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micronsemiconductor 探測(cè)器 LL11無(wú)中心孔的單面/圓形設(shè)計(jì)。 具有圓形或多面外部芯片尺寸的單面多元件圓形有源區(qū)。核能/高能物理 核能/高能物理公司在訂單簿中占據(jù)主導(dǎo)地位，主要是雙面硅微帶探測(cè)器，使用N型硅，用于各種項(xiàng)目，包括R3B/ISOLDE/MINOS/HIRA/BELLE2/GASPARD，最近用于CLIC/LHCb/ATLAS，為P型硅像素提供高達(dá)65000個(gè)元素，每

micronsemiconductor 鉆石探測(cè)器MSL-DD-01 MSL-DD-02無(wú)中心孔的單面/圓形設(shè)計(jì)。 具有圓形或多面外部芯片尺寸的單面多元件圓形有源區(qū)。核能/高能物理 核能/高能物理公司在訂單簿中占據(jù)主導(dǎo)地位，主要是雙面硅微帶探測(cè)器，使用N型硅，用于各種項(xiàng)目，包括R3B/ISOLDE/MINOS/HIRA/BELLE2/GASPARD，最近用于CLIC/LHCb/ATLAS，為

gbs-elektronik 探測(cè)器NaI DetectorsNaI探測(cè)器可能是伽馬光譜學(xué)中使用 泛的探測(cè)器。它們具有足夠的分辨率，有相對(duì)較大的晶體尺寸，可以以適中的價(jià)格提供出色的靈敏度。探測(cè)器的分辨率通常為5.8%-7%（662keV下的相對(duì)半寬度）。通常，較小尺寸的探測(cè)器具有更好的分辨率。 NaI探測(cè)器NaI探測(cè)器 GBS Elektronik GmbH銷(xiāo)售的探測(cè)器的一般特性 探測(cè)器在外

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